微波功率半导体芯片在片设计测试解决方案
基于3672系列矢量网络分析仪平台,提供全国快速响应技术支持与服务
发布日期:2019-08-08 10:20

近年来,随着各种新型化合物半导体材料技术如氮化镓等器件的蓬勃发展,器件尺寸的不断缩小,电场强度和电流密度却相对增加。器件应用范围不断扩大,应用场景愈来愈复杂,导致集成电路的设计、优化与制造越来越困难。由此,准确的器件测试不但对模型建模分析尤其重要,并且已经成为器件工艺优化本身和后续电路设计不可或缺的环节。

本解决方案基于中电仪器的3672系列高性能多功能矢量网络分析仪平台。用于微波功率半导体芯片On-Wafer设计测试,可直接测试增益、增益压缩、有源交调等参数。兼容市场主流的负载牵引设备,支持有源谐波牵引;兼容市场主流探针台,支持探针台及探针定制;兼容PHD谐波模型的半导体设计和研制,提供双频非线性模型W参数;兼容市场主流设计仿真软件,提供设计仿真工具。提供器件测试、数据分析和模型提取的设计测试解决方案。

 

功能要点

增益及常规S参数测试功能;

二维增益压缩快速测试功能;

有源互调快速测试功能;

脉冲S参数一体化测试功能;

八通道频谱模式快速测试功能;

无源负载牵引测试功能;

有源负载牵引测试功能;

基于冷源法的等噪声圆测试功能;

热态参数测试测试功能;

放大器功率增益效率测试功能;

 

功能简介

优化的等功率圆、等效率圆、等增益圆的快速遍历;

模块化的系统配置页面;

在片校准过程控制及数据分析功能,降低人为因素影响,提高测试效率;

支持Cascade/MPI等多种型号探针台;

支持独有的W参数模型,兼容X参数及Cardiff模型;

AWR仿真及半实物仿真,兼容ADS及IC/CAP;

全国快速响应的技术服务与支持。

 

灵活的有/无源负载牵引测试

 

在片校准测试实时分析与控制

 

多种灵活校准方案及自研校准件

支持矢量网络分析仪自带校准程序,提供TRL、SOLT等算法,使用自主研制的校准件,并经过国家计量科学研究院完成溯源定标。

 

二维增益压缩快速测试

 

脉冲S参数快速测试功能

内部集成调制解调,可进行窄带和宽带脉冲测试,提供扫频、包络和脉冲点三种测试模式,脉冲过度时间可达10ns。

互调失真及频谱分析的快速测试

 

功率增益效率快速测试

 

功率半导体的建模数据分析

对测试数据进行分析,提供脚本解释执行功能。

兼容IC-CAP语法及模型规范。

 

兼容多种型号探针台


自研探针

 

可扩展至500GHz

 

全国快速响应的技术服务与支持

采购方式灵活,支持整套系统采购和在原有设备基础上集成升级。

可进行快速技术支持响应。

 

功能

增益及常规S参数测试功能;

二维增益压缩快速测试功能;

有源互调快速测试功能;

脉冲S参数一体化测试功能;

八通道频谱模式快速测试功能;

无源负载牵引测试功能;

有源负载牵引测试功能;

基于冷源法的等噪声圆测试功能;

热态参数测试功能;

放大器功率增益效率测试;

支持Cascade/MPI等多种探针台;

支持主流功率半导体建模仿真软件;

支持主流的行为模型,独家发布W参数模型;

微波探针台与探针定制;

支持功率半导体材料微波显微测试;

应用

常规功率半导体器件S参数测试;

功率半导体器件建模;

功率半导体管芯及芯片的在片测试;

超宽带大功率宽禁带半导体设计;

放大器的有源负载牵引测试;

THz频段芯片及器部件的在片研究;

功率半导体材料的失效分析。

关键词:半导体 测试 氮化镓 分析仪 芯片
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来 源:中电仪器
编辑:伊敏
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